Sort siliciumcarbid

Smeltepunktet for siliciumcarbid er så højt som 2700 grader, og det kan arbejde stabilt ved høje temperaturer i lang tid, så det bruges ofte til at lave højtemperaturovne. Siliciumcarbidmaterialer kan bevare deres stabile struktur og ydeevne ved høje temperaturer og smeltes eller deformeres ikke let, hvilket gør dem velegnede til højtemperaturprocesser og ovntest.

Siliciumcarbid har ekstrem høj hårdhed, kun næst efter diamant. Dens hårdhed kan nå 9,5, så siliciumcarbid bruges ofte som et slibende materiale til slibe-, polerings- og skæreprocesser. Siliciumcarbid slibemidler har effektiv slibeydelse og lang levetid og er velegnet til præcisionsbearbejdning af metaller, keramik, glas og andre materialer.

Siliciumcarbid har høj modstandsdygtighed over for kemisk korrosion såsom syrer og baser. Det reagerer ikke let med de fleste kemikalier ved høje temperaturer og har god korrosionsbestandighed. Dette gør siliciumcarbidmaterialer meget udbredt i kemiske processer, elektronisk fremstilling og andre områder.

Siliciumcarbid har høj elektrisk ledningsevne og kan bruges til at fremstille elektroniske komponenter såsom modstandsvarmere og elektroder. Siliciumcarbid-modstandsvarmere har karakteristika af hurtig opvarmning og høj temperaturstabilitet og er meget udbredt i højtemperaturtørring, sintring, varmebehandling og andre processer.

Siliciumcarbid har fremragende elektriske og termiske egenskaber og er meget udbredt til fremstilling af halvlederenheder. Siliciumcarbidkrystal har en høj elektronmigreringshastighed og en lavenergibåndbredde og kan bruges til at fremstille højfrekvente strømenheder, højtemperaturelektroniske enheder, optoelektroniske enheder osv. Derudover kan siliciumcarbid også bruges som en substrat til halvledermaterialer for at forbedre enhedens ydeevne.